国内存储将面临的重大考验

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去年遭受NAND Flash价格上涨影响的终端应用厂商终于在今年早些时候迎来了一波好成绩。据有关统计,从NAND Flash的整体报价来看,2018年第一季度与2017年第四季度相比平均下降了5%至10%,而且大约一年的价格趋势已经结束。但对于正在中国建造的3D NAND闪存供应商而言,一场艰苦的战斗正在蔓延。包括三星,东芝,SK海力士和美光在内的闪存供应商已宣布扩大生产计划,这将不可避免地对正在加紧在中国建设的NAND闪存制造商产生巨大影响。三星在扩容方面投入巨资,Flash面临着价格上涨的局面。全球存储芯片领导者三星电子宣布,未来三年将斥资70亿美元扩大NAND Flash在中国西安的存储容量。在DRAM扩张之后,三星再次成为存储容量的重磅炸弹。 。据了解,三星位于西安的存储工厂,其主要产品均为NAND Flash。根据三星的计划,新工厂的奠基仪式将于本月底举行。新工厂建成后,西安NAND Flash的月产能将从目前的12万增加到20万,增长67%。

摩根士丹利表示,到2018年,三星NAND FLASH出货量将同比增长36%。他们预测,2017年三星的增长将主要由平泽工厂的50K 3D NAND到2018年的第四季度贡献。将达到100K。但是,整体增长应该是个位数。据摩根士丹利称,三星3D NAND的产量到2018年将达到每月320K,同比增长18%。除三星外,三星不同工厂的NAND容量是独一无二的。闪存制造商也在扩大NAND闪存容量方面投入了大量资金。在去年8月M14工厂竣工仪式上,韩国海力士SK海力士表示将在十年内在韩国利川和青州建立三家半导体工厂。在22日,SK海力士宣布了最新的工厂投资计划。 SK海力士表示,新工厂将位于韩国青州科技城。它将在同年9月开始建设,并于今年8月启动壳结构和洁净室。施工将于2019年6月完成,设备的安装将根据公司的迁移计划确定。可以肯定的是,新工厂的总投资额将达到2.2万亿韩元,主要用于生产NAND闪存容量。建立。韩国清州自2008年以来一直是SK海力士NAND闪存的总部。海力士新的利川M14工厂将于明年转移到3D NAND Flash量产,但官方进一步指出,为了应对下一代3D NAND Flash渗透。该速度继续攀升,建设工厂需要两年时间。因此,计划提前建立决议。此外,根据日经新闻,除了四日市工厂新工厂的建设成本之外,东芝的内存业务合作伙伴西部数据(Western DIGItal)将在未来三年内投资5000亿日元的合资企业。它还将用作北上工厂的投资基金,预计将于2020年推出。 经过2017年的长期法律诉讼和合资纠纷,东芝和西部数据于2017年12月13日达成和解。双方将合资关系延伸至2029年,确保Western Digital可以参与对Fab 6的投资。 ,继续在96. Layer 3D-NAND Flash竞赛门票。这是双方在解决方案成立三个月后首次宣布扩张计划,并逐步增加3D NAND Flash的产量,以收复失去的市场机会。去年年底,东芝公布了Fab 7的建设计划,并表示未来每年将投入数百亿日元。 DRAMeXchange指出东芝Fab 7与之前的工厂不同,为期四天的市场,该网站搬迁到岩手县北部。工厂的大规模生产时间将在2019年下半年之后下降。超过96层3D-NAND闪存的生产将对2020年的总产量产生实际影响.DRAMeXchange分析指出,基于相应供应商在3D-NAND闪存方面的新产能,3D-NAND闪存市场有望在2019年后再次进入供过于求的局面.IHS Markit报告预测明年全球NAND闪存供应量将增加39.6%至2,441亿GB。其中,三星电子将率先提高产量,预计供应量将增加39%至879亿GB。与此同时,明年全球NAND需求将增长36.7%至2424亿GB,供应超过需求17亿GB,供过于求的比例约为0.7%。这将使闪存进入新一轮的价格冲击。随着数据市场的兴起,Flash已成为三星及其他厂商产能扩张的根本原因,这与市场预期有关。随着5G,自动驾驶仪物联网和人工智能的出现,围绕数据的业务正在快速增长。 根据英特尔首席执行官Krzanich的说法,到2020年,每人每天的数据量将为1.5GB;无人驾驶汽车每天将产生4TB的数据;每个小工厂每天将生产1PETA数据;到2020年,它将拥有500亿台智能设备。

Krzanich还表示,数据将成为创新的基础,目前开发的技术,如人工智能,虚拟现实,自动驾驶和5G通信,都与数据密切相关。这为数据中心带来了巨大的增长,包括存储。中国的闪存市场也表示,2017年全球半导体存储市场为950亿美元。预计2020年将增长到1200亿美元.NAND Flash和DRAM市场份额分别为42%和53%,其他则为5%。 2017年NAND闪存市场规模为400亿美元,预计2020年将增长至650亿美元,超过DRAM市场的规模。在CFM看来,高速闪存需求市场正处于云服务器市场的供应之中。客户包括Facebook,亚马逊,百度,阿里巴巴,谷歌等。2017年的市场规模为1840万,2018年为2040万。到2020年台湾将达到2230万台,届时密度将达到892亿GB。可以看出,这些供应商已做好充分准备。中国的存储业已成为偶然的“受害者”。当几家主要供应商加速其存储布局并抓住未来的发展时,中国的NAND Flash产业可能会受到冲击。为了摆脱去年闪存价格的上涨,建立独立的产业链,几年前中国大陆在NAND闪存上投入了大量资金,最近取得了不错的成绩。根据DIGITIMES去年11月的一份报告,紫光集团的长江存储已成功开发出32层3D NAND闪存芯片。长江仓储是一家专注于3D NAND技术的代表性团队,是紫光集团在半导体行业投资的重要代表。据业内人士透露,长江存储于11月份将32层3D NAND芯片引入SSD,成功进行终端产品测试,这是中国大陆3D NAND发展的一个新里程碑。 长江储存最初计划在12月底提供32层3D NAND样品,但芯片样品提前出现,第一个版本通过终端测量,这标志着研发方面的重大突破。 DIGITIMES进一步指出,最关键的研发部分规模较小,但后期批量生产的产量也是成功的关键。在未来,有必要进入批量生产,并且必须达到一定的产量以确保每个3D NAND晶体的可用性。圆的数量,成本结构将在市场上具有竞争力。在产能规划方面,业内人士透露,长江储存设备已预定5000件产能。预计将于2018年第二季度投入试生产。进度取决于产量。一旦长江存储了大量3D NAND输出,预计将打破全球3D NAND门票正处于国际厂商的境地。市场报道称,长江储存有可能与苹果合作。但也许这波闪存制造商的扩张将对长江储存的前景产生重大影响。对于最终客户,选择新的供应商,可能是因为您的产品足够好,或者因为其他供应商价格过高。如果闪存行业陷入价格上涨,那么对于长江储存来说,优势并不是很明显。回顾DRAM发展的历史,韩国制造商还通过扩张和降价打破了日本的DRAM产业和台湾的DRAM,后者仍处于摇篮中。对于不断增长的中国存储,避免这种困境是另一个在提高产品质量和供应时需要考虑的问题。然而,可以看出,与日本和其他地区的制造商不同,中国大陆的巨大市场需求可能是长江储存的法宝。

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